一、圆片级封装技术展望（论文文献综述）
徐强[1]（2020）在《蝶翼式微陀螺仪结构优化与温度补偿关键技术研究》文中研究说明微机电陀螺仪具有体积小、功耗低、易于批量化生产等优点,具有很好的发展潜力,在军用、民用以及商业领域都有着广泛的应用。蝶翼式微陀螺仪作为一款基于科里奥利原理的振动微机电陀螺仪,一经问世,就以其结构简单、加工方便、一致性好等优势吸引了国内外研究团队的注意。经过多年发展,蝶翼式微陀螺仪的研究取得了丰硕的成果。但是,随着微机电陀螺仪性能的不断提升,其应用领域也在不断扩展,人们对精度更高、体积更小、环境适应能力更强的微机电陀螺仪的需求变得极为迫切。因此本文针对上述需求,以蝶翼式微陀螺仪为研究对象,对其进行结构优化与温度补偿关键技术的研究。在提升其精度的基础上,增强其温度稳定性。主要研究内容如下:1、主要介绍了蝶翼式微陀螺仪研究的相关基础理论。建立了标度因数、正交耦合误差以及零偏输出等性能模型,通过对性能模型的分析,为后文性能提升研究提供理论支撑和指导。2、提出了一种基于干湿法结合的大振幅谐振结构,增大了蝶翼式微陀螺仪的驱动振幅,提升了机械灵敏度,有助于零偏性能的提升。在第一代湿法蝶翼式微陀螺仪的基础上,利用干湿法结合的工艺对其谐振结构进行优化设计,在提升振动斜梁主轴方位角的基础上增大了驱动振幅。实验结果表明,结构优化后的干湿法蝶翼式微陀螺仪驱动振幅增大了3.2倍。3、提出了一种基于全干法刻蚀的谐振结构,提升了谐振结构加工精度。在干湿法蝶翼式微陀螺仪谐振结构的基础上,提出了一种基于全干法刻蚀的蝶翼式微陀螺仪优化设计方案。通过将工艺升级为全干法刻蚀来提高加工精度。实验结果表明,优化后的全干法微陀螺仪主轴方位角的加工精度提升了4.15倍以上。4、完成了一种基于静电刚度补偿的正交耦合误差抑制方法,减小了蝶翼式微陀螺仪的正交耦合误差,有助于提升其零偏输出性能。对带有正交耦合误差的动力学方程进行了理论推导,建立了正交耦合误差的数学模型,并利用软件仿真方法,对正交耦合补偿电极进行了设计。对优化后的蝶翼式微陀螺仪进行全面的性能测试,常温零偏稳定性为2.26°/h。5、提出了基于相位校正的温度滞回抑制补偿方法研究,提升了蝶翼式微陀螺仪全温区下的零偏稳定性。从信号处理电路中相位误差对蝶翼式微陀螺仪的影响出发,利用相位校正的方法来抑制温度滞回。经过温度补偿后,蝶翼式微陀螺仪的全温区零偏稳定性从184.91°/h提升到了39.56°/h,提升了4.67倍。
王亮亮[2]（2020）在《晶圆金凸块电沉积高度的均匀性分析及形貌演化》文中指出液晶显示屏以及具有小巧轻薄特性的便携式电子显示产品的普及化的需求急剧增加,推动高密度3D WLP技术的迅速发展。诸如核心部件LCD驱动芯片存在上千个超窄间距I/O端,作为该芯片引出端互连的关键结构凸块,其ECD成型已然成为最经济的首选。然而形貌、高度一致性等问题长期困扰着晶圆凸块成型工艺,其电沉积行为又受控于流场的分布状况和电场分布状况。因此不同的工艺条件下,晶圆凸块沉积层的高度和形貌存在很大的差异。本文针对8英寸晶圆金凸块电沉积高度的不均匀性,基于Butler–Volmer混合电化学动力学规律,着重数值分析流场耦合电场后产生的浓差极化和电化学极化作用导致的沉积高度的不均匀现象及单凸块形貌演化进程,模拟流动的镀液在晶圆上电化学沉积的过程,采用计算机数值模拟为主和实验为辅相结合的方法,得到如下结论:1.在流场工艺参数分析的过程中,发现镀液入口管径D在12～20mm变化时,沉积高度均匀性呈现非线性变化,当入口管径为18mm时和管径12mm,都获得相对较好的均匀性。调节镀液循环流量L在10～40 L/min变化时发现,当循环流量大于30L/min后,高度均匀逐渐变好,且趋于稳定。改变阳极网的高度,由于对晶圆附近的流场影响很小,致使对电沉积高度均匀性的影响不太显着。同时阳极丝网的适当加密都有益于晶圆凸块的均匀性沉积。2.在电场分析的过程中,分析靠近阴极点和远离阴极点等路径沉积高度的均匀性变化。发现阳极电流密度更倾向于影响电沉积速率,且存在良好的线性关系,随着沉积速率的增长,沉积高度的均匀性逐渐变差。综合考虑后,阳极电流密度调整至0.60～0.70 ASD,更有益于均匀性沉积。根据模拟结果,施镀时间设定30min,此时凸块高度差可控在1.4μm之内,整体的偏差约0.5μm,相对于平均高度的偏差约5%,可获得高度均匀的凸块,而且整体具有较低的相对偏差率。采用优化的电镀杯设计、优选的入口处循环流量,适当选取喷镀条件后,可应对不同的芯片对金凸块高度的需求,以此获得高度均匀的凸块,同时可作为晶圆未来窄间距高密度均匀性电沉积金凸块的参考标准。3.针对单个金凸块沉积行为进行研究时发现,随着电沉积时间增加,电沉积的平均厚度也在增长,其形貌由中间高边缘低的“帽子”结构逐渐演化边缘高中间低“马鞍”结构。同时,随凸点形貌演化过程中,随时间的增加,沉积厚度的极差急剧增大,均匀性变差,尤其光刻胶壁边缘区域变化最明显。光刻胶型腔表面镀液水平流速增大,电沉积厚度的极差先急剧减小,而后随着流速的增大,电沉积厚度的极差缓慢增加,即随着流速的增加,金凸块表面先获得最优平整性而后缓慢变差,趋于稳定;随着流动的方向,凸块表面形貌逐渐趋于平整。当流速达到0.25m/s时,取得单凸块最优的平整性。镀液浓度的增加,凸块沉积层表面的平整性也在逐渐变好。当浓度达到0.070mol/L,沉积厚度极差0.346μm。因此采取较高浓度的镀液,更加有利于晶圆金凸块的均匀性沉积。由仿真结果可得,随着电解质电位增大,电沉积厚度的增长速率变大,不利于沉积凸块表面的平整度。4.实验对比分析中,发现随着Cup入口循环流量的增加,高度偏差和极差都在逐渐减小,即随着循环入口流量的增加,晶圆金凸块电沉积的均匀性得到改善。沉积高度由晶圆中心向边缘接近过程中先逐渐减小而后迅速增大,且在阴极晶圆电极点附近出现大量的金堆积,与实际生产工艺中出现晶圆金边残留现象相符合。晶圆单凸块形貌演化探究中,仿真中所得到随时间和流速变化的沉积形貌演化规律也在现存的文献中得到证实是一种普遍现象。这些都佐证了本次仿真具备较高的精度。
林晨[3]（2020）在《固体波动多环陀螺谐振子的热力耦合模型研究》文中指出MEMS多环陀螺是固体波动陀螺家族的新成员,其具有高精度、高热稳定性、易加工、可调谐等优点,被认为是最具有高性能应用潜力的陀螺之一。通过优化MEMS多环陀螺谐振子（以下简称多环谐振子）的几何参数可显着提升MEMS多环陀螺的关键性能,但是由于多环谐振子的结构形式较为复杂,难以利用有限元模型进行全参数的系统优化。建立谐振子的动力学和热力学理论模型可快速评估几何参数变化对陀螺关键性能的影响,即可利用谐振子的动力学和热力学理论模型进行优化研究,但是多环谐振子复杂的结构和模态振型使建立其理论模型难度较大。因此,本文针对多环谐振子结构,开展了复杂结构的动力学和热力学理论建模研究。论文在调研分析复杂结构的理论建模及其相关研究工作的基础上,提炼出了建模中待解决的难点和存在的挑战:如何高精度解算复杂结构的二维热力耦合方程组;如何精确解算弹性波和温度波在多环谐振子结构中的反射和透射矩阵;如何优化所建理论模型的计算效率。围绕以上三个问题开展了如下的研究工作。1、为了使复杂结构的热弹性阻尼理论建模成为可能,提出了热力耦合射线追踪法。这是一种全新的建模方法,可高精度解算复杂结构的二维热力耦合方程组,从而获得结构的位移场和温度场。在提出热力耦合射线追踪法的过程中开展了以下研究:首先基于弹性力学与热传导理论推导了基础波导元件的热力耦合方程组,并拆解了方程组中的多维热传导方程;接着利用波动理论解算了热力耦合方程组,并分析了方程组根的特性,建立了基础波导元件的热力耦合波动方程组;然后基于热力耦合波动方程组扩充了射线追踪法的核心理论,建立了结构的热力耦合模型,并给出该模型的模态分析和受迫振动分析流程;最后推导了热力耦合模型的热弹性阻尼解析表达式。2、为了保证多环谐振子热力耦合模型的精度,需精确解算多环谐振子中弹性波和温度波的反射和透射矩阵,因此首先提出了一种全新的“C型”连接节点,替代了传统的环/杆节点,“C型”连接节点在解算过程中不会引入任何简化和近似,可高精度地解算出环与辐条连接处弹性波和温度波的反射和透射矩阵;接着基于热力耦合射线追踪法改进了传统点模型,并以此计算了弹性波和温度波在边界处的反射矩阵,量化了由外界激励产生的弹性波和温度波。为验证“C型”节点的解算精度与热力耦合射线追踪法的正确性,对比了双环结构（多环谐振子的基础单元）的热力耦合模型和有限元模型,结果表明两个模型在频率解算、热弹性阻尼解算以及温度场和位移场的解算方面显示出很好的一致性。3、为了优化多环谐振子热力耦合模型的效率,首先基于热力耦合射线追踪法改进了仅适用于单物理场的循环对称边界,并用其简化了多环谐振子热力耦合模型,简化后模型所含的基础波导元件变为原先的八分之一,同时还证明了经循环对称边界简化的模型与原完整模型等价;接着利用子结构法进一步简化,将多环谐振子循环对称简化模型压缩成了双铰链模型,使周向基础波导元件数量再减少一半;最终利用迭代简化法合并了双铰链模型的子单元,并给出了优化后的多环谐振子热力耦合模型,此时模型仅包含4个基础波导元件。经过三轮简化,极大地提升了模型的效率,且没有影响模型的精度。4、为了检验多环谐振子热力耦合模型的精度和效率,首先利用三维有限元模型对多环谐振子热力耦合模型的频率解算精度、热弹性阻尼解算精度以及位移场和温度场的解算精度进行了验证。频率解算最大误差为2.51%,热弹性品质因数的最大误差为3.50%,且两模型的位移场和温度场的解算高度吻合。接着,对比了热力耦合模型、二维有限元模型及三维有限元模型的运算时间,结果表明热力耦合模型的效率是有限元模型的数十倍（结构越复杂,效率提升越显着）。最后,利用热力耦合模型快速优化了多环谐振子的几何参数,并在此基础上,进行了制版、加工和封装。经测试,多环谐振子工作模态的热弹性品质因数提升了4倍,不再是制约陀螺品质因数提升的瓶颈,且谐振子的模态分布也得到了优化,2θ工作模态成为了第一模态,并在频域上将其他干扰模态远远隔开。
杜宜璋,常洪龙,苑伟政,谢建兵[4]（2019）在《多环谐振微机械陀螺的研究现状及发展趋势》文中提出微机械陀螺是一种新型的陀螺,近年来随着微机电技术的发展,其性能不断得到提高。基于多环谐振微机械陀螺的发展现状,详细评述了多环谐振陀螺的来源以及其由单环到多环的结构发生改变的优点。并基于驻波进动原理,介绍了两种新型的全对称谐振盘陀螺。总结了圆环谐振式微机械陀螺的工艺发展路线,由早期的HARPSS工艺发展到外延多晶硅封装工艺,再到材料性能好的单晶硅热压键合工艺,使得多环谐振陀螺的性能不断得以提升,并分析了其优缺点。最后,展望了未来的高新技术,提出多环谐振陀螺的发展方向。
刘孝刚[5]（2019）在《基于有限元方法的MEMS器件封装可靠性研究》文中进行了进一步梳理MEMS（Micro-Electro-Mechanical-Systems,微机电系统）器件具有体积小,功耗低,可靠性高等优点。广泛用于汽车电子,消费电子,航空航天,生物医学、环境监控和信息等领域。为了适应不断变化的市场需求,不得不加快MEMS器件设计周期,缩短MEMS器件开发流程,提高MEMS器件可靠性。MEMS器件的可靠性主要是取决于MEMS封装的可靠性,因而为了保障MEMS产品稳定有效的运行,对MEMS封装进行可靠性研究是十分关键的。基于工艺力学的有限元仿真工具被广泛应用MEMS器件封装工艺设计及可靠性研究。本文对MEMS器件封装结构在不同环境下可靠性进行了有限元仿真分析。主要研究内容如下:首先,通过万能材料试验机,纳米压痕测试仪,差分扫描量热仪等各种测试仪器,按照ASTM,GB/T,ISO等相关测试标准进行测试,获得了MEMS封装所涉及高聚物的真实热机械性能数据,并搭建了MEMS封装材料数据库。其次,通过有限元分析软件对基于引线框架塑封MEMS压力模块封装工艺及高低温循环下可靠性进行分析,并采用云纹干涉法测试塑封MEMS压力模块在不同温度下的位移以此来验证仿真结果。针对塑封MEMS压力模块在后封装工艺的表面贴装工艺失效特点,通过仿真分析提供了优化设计方案。最后,对MEMS陀螺仪叠层封装结构在高低温度循环、机械振动、机械冲击、湿度、通电五种应力环境下应用有限元仿真分析,提出了一种有效的可靠性分析模型,为MEMS陀螺仪封装工艺优化提供了新的思路。
高成楠[6]（2019）在《考虑键合凸点的TSV宽频带建模研究》文中认为传统集成电路的特征尺寸不断逼近物理极限,其面临的挑战越来越多,微电子技术的发展遇到了颈瓶。三维集成技术的出现为半导体的持续发展提供了新的途径,其实质是将多层芯片在垂直方向进行堆叠互连实现各层之间的电信号连接,使得芯片的面积更小、芯片之间的互连更短、提供更高的传输带宽以及实现异质集成,从而极大的降低了功耗、减小了延时和提高了性能。硅通孔（Through Silicon Via,TSV）作为三维集成互连中的关键部位,对芯片整体的信号传输性能起着决定性作用,深入研究TSV的特性具有重要的意义。本文首先针对考虑键合凸点的GS（Ground-Signal,GS）型TSV构建了宽频带等效电路模型。结合TSV的物理结构模型,综合考虑高频传输中的趋肤效应、TSV金属导体和硅衬底之间形成的金属-氧化物-半导体（Metal Oxide Semiconductor,MOS）效应、键合凸点引入的寄生效应、硅衬底的涡流损耗以及临近效应,提取了等效阻抗和等效导纳参数,构建了π型等效电路模型。由等效电路模型推导计算S矩阵参数,并在频率为100MHz-100GHz范围内,将计算得到的结果与三维电磁仿真软件（High Frequency Structure Simulator,HFSS）仿真结果进行对比,分析回波损耗S11与插入损耗S21,误差低于5%,验证了等效电路模型的正确性。利用考虑键合凸点的GS型TSV的宽频带等效电路分析了TSV的结构参数与传输特性的关系。由仿真结果得出,TSV的间距、TSV的高度以及键合凸点的高度越小TSV的传输特性越好;TSV的半径越大、衬底掺杂浓度越低、键合凸点的半径越大TSV的传输性能越高。根据分析结果得到了各个参数的优化解,构建出了TSV的优化结构,与最初结构的传输特性进行对比,在100GHz时,优化前回波损耗S11为-9dB,优化后为-14dB,插入损耗S21优化前为-1.25dB,优化后为-0.35dB,传输特性得到显着的提升。在GS型TSV结构的基础上建立了GSG（Ground-Signal-Ground,GSG）型TSV结构模型,并对其结构进行分析,构建出了宽频带等效电路模型。通过对比GSG型TSV与GS型TSV传输特性的区别,分析得出相同结构参数下前者高频传输性能较好,后者更加适用于低频传输。改变绝缘层填充材料发现相对介电常数低的材料有利于提升TSV的传输特性。分析了衬底的掺杂浓度对传输特性的影响,得出降低衬底掺杂浓度更有利于提升TSV的传输特性。
谢祥[7]（2019）在《三维集成电路中PDN交流噪声分析及优化》文中进行了进一步梳理近年来随着集成电路的飞速发展,晶体管尺寸接近物理极限,工艺尺寸的缩减已经难以提高集成电路的集成度,摩尔定律逐渐“失效”,然而三维集成技术的出现为解决这个问题带来了希望。当今的三维集成电路基于硅通孔（TSV）和三维集成技术,将多层平面芯片进行堆叠,从而大幅提高芯片的集成度和性能。但是三维集成电路相比于二维集成电路具有更大的噪声,比如电力传输过程中电源分配网络（PDN）上会产生大量的噪声,导致电源完整性问题和封装可靠性问题。近年来随着芯片工作频率越来越高,三维集成电路中PDN上的交流噪声已经成为影响芯片可靠性和电源完整性的主要因素。本文建立了三维集成电路中PDN的等效模型,该模型由TSV、Solder、VIA和P/G栅格组成。本文采用分割重组的方法,首先将三维PDN拆解为TSV、Solder、VIA和P/G栅格四个部分分别建模,然后通过寄生参数提取公式或软件仿真方式提取其寄生参数值,最后根据物理结构重组建立整个三维PDN的等效模型,并用S参数验证了模型的正确性。相比于传统模型,本文提出的模型在考虑了P/G栅格的寄生电阻和寄生电感的基础上,加入了寄生电容的影响,且考虑了地线的影响。验证结果表明在0-10GHz范围内,本文建立的等效模型与参考模型的S11曲线很吻合,且比未考虑P/G栅格电容的传统模型更为精确。根据三维PDN等效模型,本文利用ADS软件进行瞬态仿真获取PDN上交流噪声的大小,通过控制变量法全面地研究了PDN的层数、规模、TSV深宽比、TSV数量、TSV分布、P/G间距、片上去耦电容大小、芯片工作频率以及电源供电电压对PDN交流噪声的影响,为后文提出PDN优化方法提供基础。根据三维PDN等效模型和ADS瞬态仿真分析,本文提出了通过TSV分组来减小PDN交流噪声的方法,即保证总横截面积不变的情况下将TSV分组,并利用数学模型计算和电路瞬态仿真证明了该方法的有效性。本文通过实验证明,当一个TSV分组为两个、四个、九个TSV时,PDN交流噪声最多能减小20%、43%、57%。PDN的物理结构一般难以更改,而TSV的参数方便控制,TSV分组能够有效降低PDN交流噪声的大小,同时还提高了信号传输的可靠性,是一种有效且具有工程意义的方法。
陈定辉[8]（2019）在《超大面阵非制冷红外探测器片级封装设计》文中提出片级封装（Wafer-Level package）技术是一种新型的半导体器件封装技术。在传统封装基础上将封装尺寸缩小到芯片尺寸,且以晶圆片的形式大批量生产,降低封装成本,实现了小型化封装。本文针对2048×1536超大面阵非制冷红外焦平面探测器片级封装的设计,开展了其片级封装总体方案设计、封装结构设计、工艺设计及关键工艺验证。主要完成内容如下:（1）完成了超大面阵非制冷红外探测器片级封装总体方案设计,包括组件结构方案设计和封装工艺方案设计。组件结构设计方面,分别完成了两层晶圆片结构和三层晶圆片结构器件片级封装设计;在片级封装工艺上完成了CTW（Chip to wafer）和WTW（Wafer to wafer）封装方案设计,并进一步完成了两个方案的工艺流程设计。（2）对片级封装力学、光学做了仿真设计,并绘制了器件两层及三层晶圆片级封装工程图。通过力学和光学可靠性仿真分析,确定了合适的基板厚度和键合环宽度;同时对器件片级封装真空寿命做了分析计算。根据芯片结构及可靠性仿真设计结果,确定封装键合环宽度为1.5mm,上基板的厚度为0.85mm,上基板的平面封装尺寸为44.860mm×41.730mm,下基板的平面封装尺寸为46.260mm×43.130mm,并依此绘制了器件两层及三层晶圆片级封装工程图。（3）完成了两层晶圆CTW、WTW片级封装工艺流程和三层晶圆WTW片级封装工艺流程设计。并对关键工艺开展了工艺验证,完成了晶圆键合环金属化工艺、晶圆键合工艺等实验验证。
李青松[9]（2019）在《嵌套环MEMS陀螺零偏稳定性提升关键技术研究》文中认为高精度微机械陀螺是无人系统、自主导航、智能装备等领域的核心器件,具有迫切的需求和广阔的应用前景。嵌套环MEMS陀螺是一种基于科里奥利效应的振动陀螺,该陀螺除具有微陀螺所共有的体积小、成本低、可批量生产等优势外,还具有全对称的谐振结构、中心固定的锚点以及大量的内部孔洞,使其具有更强的加工鲁棒性、更好的温度稳定性以及更为灵活的电极配置和更大的电容面积,因此该陀螺是目前最具性能潜力的微陀螺方案。目前嵌套环MEMS陀螺的性能仍有待提高,在性能提升等方面尚缺乏系统的研究。本文针对嵌套环MEMS陀螺开展提升其零偏稳定性的相关理论和关键技术研究,实现高精度的陀螺样机。本文主要的研究内容如下:1.建立了嵌套环MEMS陀螺的基础理论模型,为陀螺的优化设计奠定了理论基础。根据嵌套环MEMS陀螺的结构特性与工作原理,利用综合模态法建立了陀螺的分布参数动力学模型,解决了复杂嵌套环谐振结构振动模态理论分析的难题,同时基于集中参数等效方法建立了该陀螺理想情况以及带结构误差的集中参数动力学模型,并对陀螺结构误差以及电路相位误差的影响进行了研究。2.提出了嵌套环MEMS陀螺零偏稳定性提升的基本理论以及需要实现的关键技术,为高性能陀螺的研究提供了具体方向。噪声和零偏漂移是零偏稳定性的主要影响因素,通过噪声分析和零偏漂移机理分析分别建立了陀螺噪声模型和零偏漂移模型,并依据该模型提出了抑制陀螺噪声和零偏漂移的基本理论以及有效位移比提升、品质因数提升、频率和阻尼匹配等关键技术。3.开展了嵌套环MEMS陀螺零偏稳定性提升关键技术的研究,实现了陀螺性能的有效提升。在有效位移比提升方面,建立了嵌套环MEMS陀螺非线性理论模型,基于振动放大效应提出了内环驱动与外环检测相结合的电极配置方案,突破了非线性效应对陀螺有效位移比的限制,实现了陀螺有效位移比的大幅提升;在品质因数提升方面,完善了陀螺的品质因数提升理论和基于质量刚度解耦的品质因数提升方法,有效提高了陀螺的品质因数;在频率和阻尼匹配方面,推导了频率修调与匹配理论,针对电极误差的影响提出了多电极同步修调的误差抑制方法,并采用干扰法实现了频率的精确修调,同时推导并验证了基于能量损耗的阻尼修调理论与方法。4.研制了高性能嵌套环MEMS陀螺样机,其性能达到国际先进水平。在本文提出的相关理论与技术的基础上,通过优化改进得到了高性能陀螺样机,并进行了全面的性能测试。测试表明,该陀螺量程达到±300o/s,分辨率达到0.0002o/s,在七次重复测试中,室温零偏不稳定性平均水平为0.077o/h,角度随机游走为0.013o/√h。根据国内外公开报道,该性能在嵌套环MEMS陀螺中达到了国际先进水平。且该陀螺具有较高的精度和良好的重复性,展现出极大的性能潜力。
邝云斌[10]（2018）在《基于TGV的切向驱动蝶翼式硅微陀螺圆片级真空封装关键技术研究》文中提出MEMS（Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统）圆片级真空封装技术不仅为MEMS器件提供必要的保护和稳定的工作环境,而且相比于器件级真空封装具有封装尺寸小、批量成本低、封装效率高的优势。基于玻璃回流工艺的TGV（Through Glass Via,TGV）技术因其信号垂直导出的特性被研究用于圆片级真空封装,它能最大程度地降低封装尺寸,是实现MEMS器件三维堆叠集成的重要方法之一。同时,它也具有热失配小、电绝缘性好、寄生电容小等优势,从而成为MEMS真空封装技术领域的研究热点。然而,国内外对此方面的研究报道很少,而且国内在玻璃回流、气密性增强等关键问题上还未解决。因此,本文重点开展面向基于玻璃回流的TGV技术研究,完成切向驱动蝶翼式硅微陀螺的圆片级真空封装。论文主要内容包括:1.阐明本课题的研究背景与意义。通过充分调研国内外在MEMS圆片级真空封装技术方面的研究成果以及研究现状,了解其发展趋势,总结出基于TGV的圆片级真空封装方案的优势和存在难点。2.切向静电力驱动蝶翼式硅微陀螺的结构设计。利用平行板电容器错位产生切向静电力的原理,设计了切向驱动,法向电容检测的蝶翼式陀螺结构,同时,基于TGV技术设计了TGV衬底-硅陀螺结构-玻璃盖帽的三层圆片级真空封装结构。3.玻璃回流关键工艺的理论建模分析与仿真实验验证。提出等效电路理论对玻璃回流工艺过程进行理论建模,推导出回流深度与回流温度、时间、压强、开口宽度及表面张力等影响因素的定量关系;通过COMSOL的两相流模块对其进行仿真验证;设计玻璃回流实验进行进一步的验证;结果表明,该理论推导能有效指导玻璃回流工艺。4.TGV衬底气密性增强方法研究与验证。通过界面能理论的研究分析,提出在硅-玻璃侧壁增加二氧化硅以增强硅侧壁气密性的方法,并设计亲润性实验验证该方法的有效性;设计硅导通柱侧壁气密性验证实验,对比验证优化后TGV衬底的真空封装能力;探索及优化阳极键合工艺,并设计键合界面气密性验证实验,证明其能实现圆片级真空封装。5.TGV衬底整体工艺设计及关键工艺研究。优化设计TGV衬底总体加工流程;研究TGV衬底加工过程中的关键工艺:硅深槽刻蚀工艺、玻璃回流工艺、圆片减薄与CMP（Chemical Mechanical Polishing）抛光工艺等。6.基于TGV衬底的切向驱动蝶翼式硅微陀螺三层结构圆片级真空封装加工工艺研究。分别研究并加工出高精度蝶翼式陀螺和玻璃盖帽;探索高强度三层阳极键合工艺,实现TGV衬底-硅陀螺结构-玻璃盖帽三层结构的加工。
二、圆片级封装技术展望（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、圆片级封装技术展望（论文提纲范文）
（1）蝶翼式微陀螺仪结构优化与温度补偿关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状综述 |
| 1.2.1 结构优化设计方面 |
| 1.2.2 正交耦合误差抑制补偿方面 |
| 1.2.3 温度补偿方面 |
| 1.3 本单位研究基础 |
| 1.4 论文主要研究内容 |
| 第二章 蝶翼式微陀螺仪基础理论 |
| 2.1 总体结构与工作原理 |
| 2.1.1 总体结构 |
| 2.1.2 工作原理 |
| 2.2 机械灵敏度分析 |
| 2.2.1 理想动力学方程 |
| 2.2.2 开环机械灵敏度分析 |
| 2.3 关键性能模型建立与分析 |
| 2.3.1 带误差动力学方程 |
| 2.3.2 关键性能参数建模和分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于干湿法结合的大振幅蝶翼式微陀螺仪优化设计 |
| 3.1 蝶翼式微陀螺仪驱动振幅分析 |
| 3.1.1 驱动振幅受限原因分析 |
| 3.1.2 水平驱动振幅提升方法 |
| 3.2 基于振动斜梁优化的大振幅谐振结构设计 |
| 3.2.1 大振幅谐振结构优化设计 |
| 3.2.2 振动斜梁主轴方位角计算方法 |
| 3.2.3 振动斜梁主轴方位角设计 |
| 3.2.4 振动斜梁横截面尺寸参数设计 |
| 3.3 干湿法结合工艺优化设计 |
| 3.4 优化前后驱动振幅对比计算 |
| 3.4.1 驱动幅值反推方法 |
| 3.4.2 优化前后驱动振幅对比 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 基于全干法刻蚀的蝶翼式微陀螺仪优化设计 |
| 4.1 干湿法结合工艺不足分析 |
| 4.1.1 晶向误差对干湿法工艺精度的影响 |
| 4.1.2 干湿法斜梁结构对光刻精度的影响 |
| 4.2 蝶翼式微陀螺仪振动斜梁优化设计 |
| 4.2.1 微陀螺仪谐振结构优化设计 |
| 4.2.2 凹形梁截面尺寸参数设计 |
| 4.2.3 主轴方位角精度对比验证 |
| 4.3 全干法蝶翼式微陀螺仪加工工艺研究 |
| 4.3.1 基于SOI的硅电极设计与加工 |
| 4.3.2 基于SOI的谐振结构设计与加工 |
| 4.3.3 圆片级真空封装工艺设计与加工 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于静电刚度补偿的正交耦合误差抑制方法研究 |
| 5.1 正交耦合误差产生机理及影响 |
| 5.1.1 正交耦合误差产生机理 |
| 5.1.2 正交耦合误差对零偏性能的影响 |
| 5.2 正交耦合误差补偿电极设计与验证 |
| 5.2.1 正交耦合补偿电极设计方法 |
| 5.2.2 正交耦合补偿效果仿真实验 |
| 5.3 蝶翼式微陀螺仪性能测试 |
| 5.3.1 温控测试系统 |
| 5.3.2 标度因数测试 |
| 5.3.3 常温零偏稳定性测试 |
| 5.3.4 全温区零偏稳定性测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 基于相位校正的温度滞回抑制补偿方法研究 |
| 6.1 温度变化对微陀螺仪的影响机理 |
| 6.1.1 温度变化对微陀螺仪表头的影响 |
| 6.1.2 温度变化对信号处理电路的影响 |
| 6.2 零偏输出温度滞回产生机理与抑制方法研究 |
| 6.2.1 零偏输出温度滞回产生机理 |
| 6.2.2 基于相位校正的温度滞回抑制方法 |
| 6.3 全温区零偏稳定性验证测试 |
| 6.3.1 多项式拟合温度补偿方法 |
| 6.3.2 全温区验证测试结果 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（2）晶圆金凸块电沉积高度的均匀性分析及形貌演化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电子封装概述 |
| 1.2 晶圆级封装技术 |
| 1.3 微凸块技术 |
| 1.3.1 微凸块的材料及类型 |
| 1.3.2 微凸块的结构 |
| 1.3.3 微凸块的互连方式 |
| 1.3.4 微凸块的制作工艺 |
| 1.4 电沉积金凸块技术 |
| 1.4.1 溅射UBM技术 |
| 1.4.2 厚胶光刻技术 |
| 1.4.3 镀金液电镀技术 |
| 1.5 国内外研究现状 |
| 1.6 研究目的与意义 |
| 1.7 本文研究的内容 |
| 第二章 晶圆凸块电沉积理论及数值模拟方法 |
| 2.1 制造晶圆凸块的喷镀设备 |
| 2.2 晶圆金凸块电沉积工艺理论 |
| 2.2.1 流场本构模型 |
| 2.2.2 晶圆表面附近金属离子传输模型构建 |
| 2.2.3 阴极晶圆附近电解质电位分布模型构建 |
| 2.2.4 电沉积模型构建 |
| 2.3 电极极化现象 |
| 2.4 多物理场耦合求解方法 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 晶圆金凸块电沉积均匀性分析及工艺优化 |
| 3.1 流场工艺仿真分析 |
| 3.1.1 入口管径尺寸对沉积均匀性的影响 |
| 3.1.2 循环镀液入口流量对沉积均匀性的影响 |
| 3.1.3 丝网高度对沉积厚度均匀性的影响 |
| 3.1.4 阳极丝网密度对沉积均匀性的影响 |
| 3.1.5 流场工艺分析总结 |
| 3.2 电场工艺仿真分析 |
| 3.2.1 电场仿真模型建立 |
| 3.2.2 探究阳极电流密度对晶圆电沉积均匀性的影响 |
| 3.2.3 电场优化仿真分析 |
| 3.3 实验分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 单凸块电沉积形貌分析 |
| 4.1 微凸块模型建立 |
| 4.1.1 微凸块电沉积理论 |
| 4.1.2 微凸块几何模型及网格划分 |
| 4.2 微凸块数值模拟边界条件设定 |
| 4.2.1 速度边界条件的设定 |
| 4.2.2 浓度边界条件的设定 |
| 4.2.3 电场边界的设定 |
| 4.3 微凸块数值分析 |
| 4.3.1 电沉积时间对金凸块形貌演化的影响 |
| 4.3.2 镀液流速对金凸块形貌演化的影响 |
| 4.3.3 浓度对金凸块形貌演化的影响 |
| 4.3.4 镀液电位比对金凸块形貌演化的影响 |
| 4.4 结果分析与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（3）固体波动多环陀螺谐振子的热力耦合模型研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 研究综述 |
| 1.2.1 MEMS多环谐振子研究进展 |
| 1.2.2 环形谐振子动力学建模研究进展 |
| 1.2.3 基于多维热传导理论的热弹性阻尼建模研究进展 |
| 1.3 建模方法简析与建模中所面临的挑战 |
| 1.4 论文的主要研究内容与结构安排 |
| 2 热力耦合射线追踪法 |
| 2.1 传统射线追踪法概述 |
| 2.1.1 基础波导元件的弹性波位移方程 |
| 2.1.2 射线追踪法建模流程 |
| 2.2 基础波导元件的热力耦合波动方程组 |
| 2.2.1 基础波导元件的热力耦合方程组 |
| 2.2.2 热力耦合方程组的解算与分析 |
| 2.3 热力耦合模型的建立及解算 |
| 2.3.1 热力耦合模型的建立流程 |
| 2.3.2 热力耦合模型的模态分析及受迫振动分析 |
| 2.4 基于热力耦合模型的热弹性阻尼计算 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 多环谐振子中弹性波和温度波的反射及透射特性 |
| 3.1 弹性波和温度波在环与辐条连接处的反射及透射特性 |
| 3.1.1 “C”型节点及其特性 |
| 3.1.2 “C”型节点的反射和透射矩阵 |
| 3.2 弹性波和温度波在边界处的反射特性 |
| 3.3 弹性波和温度波在激励作用点的透射特性 |
| 3.4 基于双环模型的节点模型精度验证 |
| 3.4.1 双环结构的热力耦合模型 |
| 3.4.2 基于有限元模型的验证与对比 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 多环谐振子热力耦合模型的计算效率优化 |
| 4.1 循环对称简化 |
| 4.1.1 相邻扇形区域之间弹性波及温度波的关系 |
| 4.1.2 热力耦合射线追踪法中循环对称边界的特性及可行性验证 |
| 4.2 子结构简化 |
| 4.3 迭代简化 |
| 4.4 多环谐振子热力耦合模型 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 多环谐振子热力耦合模型的验证与应用 |
| 5.1 多环谐振子热力耦合模型解算精度的验证 |
| 5.1.1 频率和热弹性阻尼解算精度的验证 |
| 5.1.2 位移场和温度场解算精度的验证 |
| 5.2 多环谐振子热力耦合模型计算效率的检验 |
| 5.3 多环谐振子热力耦合模型的应用 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 研究内容总结 |
| 6.2 论文创新点及贡献 |
| 6.3 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 简历 |
（4）多环谐振微机械陀螺的研究现状及发展趋势（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 环形陀螺理论及发展历程 |
| 1.1 对称固体波动理论 |
| 1.2 环形MEMS陀螺结构演变 |
| 2 环形陀螺工艺的综述 |
| 3 多环谐振陀螺的未来发展方向 |
| 3.1 静电平衡调整技术 |
| 3.2 高Q值的真空封装技术 |
| 3.3 MEMS环形陀螺与CMOS集成技术 |
| 3.4 速率积分控制技术 |
| 4 结论 |
（5）基于有限元方法的MEMS器件封装可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 MEMS封装技术 |
| 1.3 MEMS器件封装可靠性研究 |
| 1.4 课题来源、研究意义与全文安排 |
| 1.4.1 课题来源与研究意义 |
| 1.4.2 全文安排 |
| 2.MEMS封装材料测试 |
| 2.1 差分扫描量热仪(DSC)测试 |
| 2.2 温度、应变率相关的力学性能测试 |
| 2.3 FR-4 材料温度相关的力学性能测试及断口形貌分析 |
| 2.4 薄膜材料纳米压痕(Nano-indentation)测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 3.MEMS压力传感器封装可靠性研究 |
| 3.1 基于工艺力学MEMS塑封压力传感器仿真分析 |
| 3.2 MEMS塑封压力传感器仿真验证 |
| 3.3 MEMS塑封模块表面贴装焊点可靠性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4.MEMS陀螺仪叠层封装模块可靠性研究 |
| 4.1 温度应力分析 |
| 4.2 机械应力分析 |
| 4.2.1 机械振动应力分析 |
| 4.2.2 机械冲击应力分析 |
| 4.3 湿度应力分析 |
| 4.4 电应力分析 |
| 4.5 分析模型提取 |
| 4.6 本章小结 |
| 5.总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的主要论文 |
| 附录2 攻读硕士学位期间的授权专利 |
（6）考虑键合凸点的TSV宽频带建模研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 TSV三维集成的优势 |
| 1.3 三维集成的新进展 |
| 1.4 论文研究的内容与结构安排 |
| 第二章 TSV结构模型与工艺 |
| 2.1 TSV结构分类与模型 |
| 2.1.1 圆柱型TSV结构与模型 |
| 2.1.2 同轴TSV结构与模型 |
| 2.1.3 锥型TSV结构与模型 |
| 2.2 TSV工艺 |
| 2.2.1 TSV工艺顺序 |
| 2.2.2 TSV深孔刻蚀 |
| 2.2.3 绝缘层和阻挡层以及种子层 |
| 2.2.4 TSV深孔填充 |
| 2.2.5 键合工艺 |
| 2.3 本章总结 |
| 第三章 考虑键合凸点的TSV寄生参数模型 |
| 3.1 考虑键合凸点的TSV模型的建立 |
| 3.2 考虑键合凸点的GS型TSV寄生参数的提取 |
| 3.2.1 阻抗模型 |
| 3.2.2 导纳模型 |
| 3.3 宽频带等效电路模型的建立与仿真 |
| 3.3.1 考虑键合凸点的GS型TSV的宽频带等效电路模型 |
| 3.3.2 宽频带等效电路的验证与分析 |
| 3.4 本章总结 |
| 第四章 考虑键合凸点的GS型TSV的传输特性研究 |
| 4.1 考虑键合凸点的GS型TSV的基本特性 |
| 4.2 考虑键合凸点的GS型TSV结构参数对传输特性的影响 |
| 4.2.1 TSV间距对传输特性的影响 |
| 4.2.2 TSV高度对传输特性的影响 |
| 4.2.3 TSV半径对传输特性的影响 |
| 4.2.4 金属间介质层厚度对传输特性的影响 |
| 4.2.5 键合凸点的半径对传输特性的影响 |
| 4.2.6 键合凸点的高度对传输特性的影响 |
| 4.2.7 衬底掺杂浓度对传输特性的影响 |
| 4.3 考虑键合凸点的GS型TSV的结构参数优化 |
| 4.4 本章总结 |
| 第五章 考虑键合凸点的GSG型TSV参数模型 |
| 5.1 考虑键合凸点的GSG型TSV的宽频带等效电路 |
| 5.2 等效电路模型验证 |
| 5.3 考虑键合凸点的GSG型TSV的传输特性 |
| 5.3.1 GSG型TSV与GS型TSV的传输特性对比 |
| 5.3.2 绝缘层材料对GSG型TSV传输特性的影响 |
| 5.3.3 衬底掺杂浓度对GSG型TSV传输特性的影响 |
| 5.4 本章总结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（7）三维集成电路中PDN交流噪声分析及优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 第二章 三维集成电路与PDN交流噪声 |
| 2.1 三维集成概述 |
| 2.1.1 三维集成的发展 |
| 2.1.2 三维集成方法 |
| 2.1.3 三维集成电路 |
| 2.2 电源分配网络 |
| 2.2.1 PDN结构 |
| 2.2.2 PDN建模 |
| 2.2.3 PDN阻抗 |
| 2.3 PDN噪声 |
| 2.3.1 PDN信号完整性与电源完整性 |
| 2.3.2 PDN交流噪声 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 三维集成电路中PDN建模 |
| 3.1 三维集成电路中PDN结构 |
| 3.2 TSV等效模型 |
| 3.2.1 TSV物理模型 |
| 3.2.2 TSV等效电路模型 |
| 3.2.3 TSV寄生参数提取 |
| 3.2.4 TSV模型验证 |
| 3.3 Solder等效模型 |
| 3.3.1 Solder物理模型 |
| 3.3.2 Solder等效电路模型 |
| 3.3.3 Solder寄生参数提取 |
| 3.4 VIA等效模型 |
| 3.4.1 VIA物理模型 |
| 3.4.2 VIA等效电路模型 |
| 3.4.3 VIA寄生参数提取 |
| 3.5 P/G栅格等效模型 |
| 3.5.1 P/G栅格物理模型 |
| 3.5.2 P/G栅格等效电路模型 |
| 3.5.3 P/G寄生参数提取 |
| 3.5.4 P/G模型验证 |
| 3.6 三维集成电路中PDN等效模型 |
| 3.6.1 三维集成电路中PDN等效电路模型 |
| 3.6.2 三维集成电路中PDN等效电路验证 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 三维集成电路中PDN交流噪声仿真分析及优化 |
| 4.1 PDN交流噪声仿真分析 |
| 4.2 PDN层数对交流噪声的影响 |
| 4.3 PDN规模对交流噪声的影响 |
| 4.4 TSV深宽比对交流噪声的影响 |
| 4.5 TSV数量对交流噪声的影响 |
| 4.6 TSV分布对交流噪声的影响 |
| 4.7 P/G间距对交流噪声的影响 |
| 4.8 片上去耦电容对交流噪声的影响 |
| 4.9 工作频率对交流噪声的影响 |
| 4.10 电源电压对交流噪声的影响 |
| 4.11 PDN交流噪声优化 |
| 4.11.1 PDN交流噪声优化方法 |
| 4.11.2 TSV分组数学模型分析 |
| 4.11.3 TSV分组仿真验证分析 |
| 4.12 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（8）超大面阵非制冷红外探测器片级封装设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.1.1 非制冷红外探测技术及其特点 |
| 1.1.2 非制冷红外焦平面真空封装技术 |
| 1.1.3 片级封装工艺技术的发展和特点 |
| 1.2 非制冷红外探测器片级封装国内外研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 1.4 本章小结 |
| 第二章 超大面阵非制冷红外探测器片级封装总体方案设计 |
| 2.1 片级封装总体方案设计 |
| 2.2 超大面阵非制冷红外探测器片级封装结构方案设计 |
| 2.3 超大面阵非制冷红外探测器片级封装工艺方案设计 |
| 2.3.1 阳极键合及玻璃浆料键合技术 |
| 2.3.2 热压键合技术及SLID键合技术 |
| 2.3.3 金属共晶键合技术 |
| 2.3.4 整体工艺路线选择 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 超大面阵非制冷红外探测器片级封装结构设计 |
| 3.1 两层晶圆片级封装结构尺寸设计 |
| 3.1.1 下基板结构尺寸设计 |
| 3.1.2 上基板尺寸设计 |
| 3.2 三层晶圆片级封装结构尺寸设计 |
| 3.2.1 基座片和窗口片尺寸设计 |
| 3.2.3 墙体片尺寸设计 |
| 3.3 基板力学及光学分析 |
| 3.4 超大面阵非制冷红外探测器片级封装真空寿命设计 |
| 3.4.1 基于渗透泄漏的真空寿命计算方案设计 |
| 3.4.2 薄膜吸气剂方案设计 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 超大面阵非制冷红外探测器片级封装工艺流程设计 |
| 4.1 两层晶圆片级封装工艺流程设计 |
| 4.1.1 CTW片级封装工艺流程设计 |
| 4.1.2 CTW片级封装关键工艺验证 |
| 4.1.3 WTW片级封装工艺流程设计 |
| 4.2 三层结构片级封装工艺流程设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间学术成果 |
（9）嵌套环MEMS陀螺零偏稳定性提升关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 嵌套环MEMS振动陀螺研究进展 |
| 1.2.1 固体波动陀螺从三维立体结构到二维平面结构的演化 |
| 1.2.2 二维平面结构固体波动陀螺由单环结构到嵌套环结构的演化 |
| 1.2.3 嵌套环MEMS陀螺的发展 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第二章 嵌套环MEMS陀螺工作原理与基础理论模型 |
| 2.1 嵌套环MEMS陀螺简介 |
| 2.1.1 基本结构 |
| 2.1.2 工作原理 |
| 2.2 嵌套环MEMS陀螺分布参数动力学模型 |
| 2.3 嵌套环MEMS陀螺等效集中参数动力学模型 |
| 2.3.1 理想情况下集中参数动力学方程 |
| 2.3.2 集中参数等效方法 |
| 2.3.3 理想情况下的陀螺灵敏度模型 |
| 2.4 引入误差后的嵌套环MEMS陀螺理论模型 |
| 2.4.1 带结构误差的陀螺集中参数动力学模型 |
| 2.4.2 闭环工作模式中结构误差的影响分析 |
| 2.4.3 闭环工作模式中电路相位误差的影响分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 嵌套环MEMS陀螺零偏稳定性提升基本理论 |
| 3.1 陀螺零偏稳定性评价方法 |
| 3.1.1 基于标准差方法的MEMS陀螺性能分析 |
| 3.1.2 基于Allan方差的MEMS陀螺性能分析 |
| 3.2 嵌套环MEMS陀螺噪声分析与抑制理论 |
| 3.2.1 陀螺噪声分析 |
| 3.2.2 噪声抑制理论 |
| 3.3 嵌套环MEMS陀螺零偏漂移模型与抑制理论 |
| 3.3.1 零偏漂移数学模型 |
| 3.3.2 阻尼轴偏角的辨识 |
| 3.3.3 温度对陀螺频率的影响规律 |
| 3.3.4 温度对陀螺品质因数的影响规律 |
| 3.3.5 零偏漂移抑制理论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 嵌套环MEMS陀螺有效位移比提升技术研究 |
| 4.1 嵌套环MEMS陀螺非线性效应及对有效位移比的限制 |
| 4.1.1 谐振结构振动非线性效应 |
| 4.1.2 嵌套环MEMS陀螺非线性理论建模 |
| 4.1.3 嵌套环MEMS陀螺非线性效应测试 |
| 4.2 基于振动放大效应的嵌套环MEMS陀螺非线性抑制 |
| 4.2.1 嵌套环MEMS陀螺中的振动放大效应 |
| 4.2.2 基于振动放大效应的非线性抑制方法 |
| 4.2.3 静电驱动非线性抑制实验验证 |
| 4.2.4 电容检测非线性抑制实验验证 |
| 4.3 有效位移比提升对陀螺性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 嵌套环MEMS陀螺品质因数提升技术研究 |
| 5.1 基于质量刚度解耦的品质因数提升理论 |
| 5.2 基于刚度分布优化的品质因数提升技术 |
| 5.2.1 特殊环间隙分布对陀螺品质因数的影响 |
| 5.2.2 基于粒子群算法的环间隙分布优化 |
| 5.2.3 结构参数对最优环间隙分布的影响 |
| 5.2.4 最优环间隙分布规律及简化寻优方法 |
| 5.3 基于质量分布优化的品质因数提升技术 |
| 5.4 品质因数提升技术实验验证 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 嵌套环MEMS陀螺频率和阻尼匹配技术研究 |
| 6.1 基于静电修调的频率匹配技术研究 |
| 6.1.1 频率匹配修调理论基础 |
| 6.1.2 修调电极角度误差的影响 |
| 6.1.3 基于多电极协同的调频电极角度误差补偿方法 |
| 6.1.4 基于干扰法的频率修调 |
| 6.2 基于可调能量损耗的阻尼匹配修调技术研究 |
| 6.2.1 基于可调能量损耗的阻尼修调理论 |
| 6.2.2 阻尼匹配修调理论 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 嵌套环MEMS陀螺样机测试 |
| 7.1 嵌套环MEMS陀螺样机与测试系统 |
| 7.2 样机测试结果 |
| 7.2.1 测试依据 |
| 7.2.2 室温标度因数及非线性度测试 |
| 7.2.3 零偏稳定性和重复性测试结果 |
| 7.2.4 分辨率测试结果 |
| 7.2.5 性能汇总 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（10）基于TGV的切向驱动蝶翼式硅微陀螺圆片级真空封装关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究的背景与意义 |
| 1.2 MEMS圆片级真空封装的发展 |
| 1.3 圆片级真空封装的研究现状 |
| 1.3.1 国外研究现状 |
| 1.3.2 国内研究现状 |
| 1.3.3 课题组研究基础 |
| 1.4 论文主要内容 |
| 第二章 基于TGV的蝶翼式硅微陀螺结构设计 |
| 2.1 切向驱动蝶翼式硅微陀螺工作原理 |
| 2.2 切向驱动蝶翼式硅微陀螺敏感结构设计 |
| 2.3 基于TGV的切向驱动蝶翼式硅微陀螺三层结构设计 |
| 2.3.1 总体封装方案设计 |
| 2.3.2 TGV衬底设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于玻璃回流的TGV技术基础理论研究 |
| 3.1 玻璃回流理论建模 |
| 3.2 玻璃回流仿真分析 |
| 3.3 玻璃回流实验及工艺参数研究 |
| 3.3.1 实验设计 |
| 3.3.2 实验结果 |
| 3.3.3 实验总结 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 TGV衬底气密性关键技术研究 |
| 4.1 TGV衬底导通柱侧壁气密性提升及验证 |
| 4.1.1 界面能理论 |
| 4.1.2 熔融玻璃的亲润性实验 |
| 4.1.3 硅导通柱侧壁气密性验证实验 |
| 4.2 晶圆键合界面气密性研究 |
| 4.2.1 阳极键合简介 |
| 4.2.2 阳极键合界面气密性验证 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 三层结构的加工工艺研究 |
| 5.1 切向驱动蝶翼式陀螺的硅敏感结构加工 |
| 5.2 TGV衬底加工工艺研究 |
| 5.2.1 TGV衬底加工总体流程设计 |
| 5.2.2 TGV衬底制备关键加工工艺研究 |
| 5.2.3 TGV衬底加工及检测 |
| 5.3 玻璃盖帽的加工 |
| 5.4 高强度三层阳极键合封装工艺研究 |
| 5.4.1 三层阳极键合工艺介绍 |
| 5.4.2 三层阳极键合关键问题研究 |
| 5.4.3 三层结构的键合封装 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
四、圆片级封装技术展望（论文参考文献）
- [1]蝶翼式微陀螺仪结构优化与温度补偿关键技术研究[D]. 徐强. 国防科技大学, 2020(01)
- [2]晶圆金凸块电沉积高度的均匀性分析及形貌演化[D]. 王亮亮. 西安电子科技大学, 2020(05)
- [3]固体波动多环陀螺谐振子的热力耦合模型研究[D]. 林晨. 南京理工大学, 2020(01)
- [4]多环谐振微机械陀螺的研究现状及发展趋势[J]. 杜宜璋,常洪龙,苑伟政,谢建兵. 导航与控制, 2019(04)
- [5]基于有限元方法的MEMS器件封装可靠性研究[D]. 刘孝刚. 华中科技大学, 2019(03)
- [6]考虑键合凸点的TSV宽频带建模研究[D]. 高成楠. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [7]三维集成电路中PDN交流噪声分析及优化[D]. 谢祥. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [8]超大面阵非制冷红外探测器片级封装设计[D]. 陈定辉. 电子科技大学, 2019(01)
- [9]嵌套环MEMS陀螺零偏稳定性提升关键技术研究[D]. 李青松. 国防科技大学, 2019(01)
- [10]基于TGV的切向驱动蝶翼式硅微陀螺圆片级真空封装关键技术研究[D]. 邝云斌. 国防科技大学, 2018(01)